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规格：
| 不同 Id 时的 Vgs（th） | 2.3V @ 300µA |
|---|---|
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 2600pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 37nC @ 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On | 4.5 毫欧 @ 13.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-TSON高级 |
| 功率 | 39W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 27A（Ta） |
| FET 功能 | 标准 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
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